အလူမီနီယမ်အလွှာသည် သတ္တုအခြေခံ ကြေးနီကို ဖုံးအုပ်ထားသော ကြမ်းခင်းဖြစ်ပြီး အပူကို ကောင်းစွာ စုပ်ယူနိုင်စွမ်းရှိသည်။ ၎င်းသည် အီလက်ထရွန်းနစ်ဖန်ဖိုက်ဘာအထည် သို့မဟုတ် အစေး၊ တစ်ခုတည်းအစေးဖြင့် ရောနှောထားသော အခြားအားဖြည့်ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် ပန်းကန်ပြားနှင့်တူသော ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး၊ တစ်ဖက် သို့မဟုတ် နှစ်ဖက်စလုံးတွင် ကြေးနီသတ္တုပြားဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပြီး အလူမီနီယံဟု ခေါ်ဆိုသော ပူပြင်းသောဖိ၊ ကြေးနီကို အခြေခံထားသော ပန်းကန်ပြား။ Kangxin Circuit သည် အလူမီနီယံအလွှာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ကို သန့်စင်ပေးပါသည်။

အလူမီနီယံအလွှာစွမ်းဆောင်ရည်

1.Excellent အပူ dissipation စွမ်းဆောင်ရည်

အလူမီနီယံအခြေခံ ကြေးနီအကျိတ်ပြားများ သည် ပန်းကန်ပြားအမျိုးအစား၏ အထင်ရှားဆုံးသော အင်္ဂါရပ်ဖြစ်သည့် အပူပျံ့အောင် စွမ်းဆောင်နိုင်စွမ်းရှိသည်။ ၎င်းနှင့်ပြုလုပ်ထားသည့် PCB သည် ၎င်းတွင်တင်ဆောင်ထားသောအစိတ်အပိုင်းများနှင့် substrates များ၏လုပ်ငန်းဆောင်တာအပူချိန်မြင့်တက်ခြင်းမှထိရောက်စွာတားဆီးနိုင်ရုံသာမကပါဝါအသံချဲ့စက်အစိတ်အပိုင်းများ၊ ပါဝါမြင့်မားသောအစိတ်အပိုင်းများ၊ ကြီးမားသောဆားကစ်ပါဝါခလုတ်များနှင့်အခြားအစိတ်အပိုင်းများမှထုတ်ပေးသောအပူကိုမြန်ဆန်စွာတားဆီးနိုင်သည်။ ၎င်းကို ၎င်း၏သေးငယ်သောသိပ်သည်းဆ၊ ပေါ့ပါးသောအလေးချိန် (2.7g/cm3)၊ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှုနှင့် စျေးနှုန်းသက်သာသောကြောင့်လည်း ဖြန့်ဝေထားသောကြောင့် ၎င်းသည် သတ္တုအခြေခံ ကြေးနီဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော laminates များတွင် စွယ်စုံရဆုံးနှင့် အကြီးဆုံးသော ပေါင်းစပ်စာရွက်ဖြစ်လာသည်။ လျှပ်ကာအလူမီနီယံအလွှာ၏ ရွှဲရွှဲအပူခံနိုင်ရည်မှာ 1.10 ℃/W ဖြစ်ပြီး အပူခံနိုင်ရည်မှာ 2.8 ℃/W ဖြစ်ပြီး၊ ကြေးနီဝါယာကြိုး၏ ပေါင်းစပ်လျှပ်စီးကြောင်းကို များစွာတိုးတက်ကောင်းမွန်စေသည်။

2. စက်၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပါ။

အလူမီနီယံအခြေခံ ကြေးနီအကျီ င်္လမင်းများသည် မြင့်မားသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် ခိုင်ခံ့မှုရှိပြီး တောင့်တင်းသော အစေးအခြေခံ ကြေးနီလွှာများနှင့် ကြွေထည်အလွှာများထက် များစွာသာလွန်ပါသည်။ ၎င်းသည် သတ္တုအလွှာများပေါ်တွင် ကြီးမားသော ပုံနှိပ်ဘုတ်ပြားများ ထုတ်လုပ်ခြင်းကို သိရှိနိုင်ပြီး ယင်းကဲ့သို့ အလွှာများတွင် လေးလံသော အစိတ်အပိုင်းများကို တပ်ဆင်ရန်အတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။ ထို့အပြင်၊ အလူမီနီယမ်အလွှာသည် ကောင်းမွန်ပြီး ပြားချပ်ချပ်ရပ်ရပ်ရှိပြီး ၎င်းကို သံတူ၊ မှိုရိုက်ခြင်း စသည်တို့ဖြင့် အလွှာပေါ်တွင် စုစည်းကာ စီမံဆောင်ရွက်နိုင်သည် သို့မဟုတ် ၎င်းနှင့်ပြုလုပ်ထားသည့် PCB ပေါ်ရှိ ဝါယာကြိုးမဟုတ်သောအပိုင်းတစ်လျှောက် ကွေးညွှတ်ကာ ကောက်ကွေးကာ ရိုးရာအစေး- ကြေးနီကို အခြေခံ၍ ကာလာမီနီယမ် မရနိုင်ပါ။

3.High Dimension တည်ငြိမ်မှု

ကြေးနီအကျိတ်များ အမျိုးမျိုးအတွက်၊ အထူးသဖြင့် သတ္တုတွင်းများနှင့် ဝိုင်ယာကြိုးများ၏ အရည်အသွေးကို ထိခိုက်စေသည့် ဘုတ်၏ အထူဦးတည်ချက် (Z-axis) တွင် အပူချဲ့ခြင်း (dimensional stability) တွင် ပြဿနာရှိသည်။ အဓိကအကြောင်းအရင်းမှာ ပလတ်ပြားများ၏ linear expansion coefficients သည် ကြေးနီကဲ့သို့ ကွဲပြားသောကြောင့်ဖြစ်ပြီး epoxy glass fiber အထည်အလွှာ၏ linear expansion coefficient သည် 3. linear expansion နှစ်ခု၏ linear expansion သည် အလွန်ကွာခြားသောကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာရန် လွယ်ကူပါသည်။ ကြေးနီပတ်လမ်းနှင့် သတ္တုစပ်အပေါက် ကွဲထွက်ခြင်း သို့မဟုတ် ပျက်စီးခြင်းတို့ကို ဖြစ်စေသော အလွှာ၏ အပူချဲ့ခြင်းတွင် ကွာခြားချက်။ အလူမီနီယံအလွှာ၏ မျဉ်းချဲ့ဖော်ကိန်းသည် ကြားတွင်ရှိပြီး၊ ၎င်းသည် ယေဘူယျအစေးအလွှာထက် များစွာသေးငယ်ပြီး၊ ကြေးနီ၏ linear expansion coefficient နှင့် ပိုမိုနီးစပ်သည်၊ ၎င်းသည် printed circuit ၏ အရည်အသွေးနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို အာမခံနိုင်စေပါသည်။

အလူမီနီယံအလွှာပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ကုသမှု

1. Deoiling

အလူမီနီယံအခြေခံပန်းကန်ပြား၏ မျက်နှာပြင်ကို ပြုပြင်ခြင်းနှင့် သယ်ယူစဉ်အတွင်း ဆီအလွှာတစ်ခုဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပြီး အသုံးမပြုမီ သန့်စင်ရပါမည်။ နိယာမမှာ ဓာတ်ဆီ (ယေဘူယျလေကြောင်းဓာတ်ဆီ) ကို ပျော်ဝင်နိုင်သော ဓာတုပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုပြီး၊ ထို့နောက် ဆီစွန်းထင်းမှုများကို ဖယ်ရှားရန် ရေတွင်ပျော်ဝင်နိုင်သော သန့်စင်ဆေးကို အသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ ရေစက်များ ကင်းစင်စေရန် မျက်နှာပြင်ကို ရေဖြင့် ဆေးကြောပါ။

2. Degrease

အထက်ပါ ကုသမှုပြီးနောက် အလူမီနီယမ်အလွှာသည် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် မဖယ်ရှားရသေးသော အဆီများ ရှိနေသေးသည်။ လုံးဝဖယ်ရှားရန်အတွက် ပြင်းထန်သောအယ်လကာလီဆိုဒီယမ်ဟိုက်ဒရောဆိုဒ်ကို 50°C တွင် 5 မိနစ်ကြာစိမ်ထားပြီး ရေသန့်ဖြင့်ဆေးချပါ။

3. Alkaline etching ။ အခြေခံပစ္စည်းအဖြစ် အလူမီနီယံပြား၏ မျက်နှာပြင်သည် ကြမ်းတမ်းမှုအချို့ရှိသင့်သည်။ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အလူမီနီယံအောက်ဆိုဒ်နှင့် အလူမီနီယံအောက်ဆိုဒ်ဖလင်အလွှာသည် အမ်ဖိုတီဝင်ပစ္စည်းများဖြစ်ကြသောကြောင့်၊ အလူမီနီယမ်အောက်ခံပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ကို အက်စစ်ဓာတ်၊ အယ်ကာလိုင်း သို့မဟုတ် ပေါင်းစပ်အယ်ကာလိုင်းဖြေရှင်းချက်စနစ်ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ကြမ်းတမ်းသွားနိုင်သည်။ ထို့အပြင် အောက်ဖော်ပြပါ ရည်ရွယ်ချက်များအောင်မြင်ရန် အခြားဒြပ်စင်များနှင့် ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများကို ကြမ်းတမ်းသည့်ဖြေရှင်းချက်တွင် ထည့်သွင်းရန် လိုအပ်ပါသည်။

4. Chemical polishing (dipping)။ အလူမီနီယမ်အခြေခံပစ္စည်းတွင် အခြားညစ်ညမ်းသောသတ္တုများပါ၀င်သောကြောင့် ကြမ်းတမ်းသည့်ဖြစ်စဉ်အတွင်း အလွှာ၏မျက်နှာပြင်နှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေသော inorganic ဒြပ်ပေါင်းများဖွဲ့စည်းရန်လွယ်ကူသောကြောင့် မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ inorganic ဒြပ်ပေါင်းများကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသင့်သည်။ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုရလဒ်များအရ၊ သင့်လျော်သောရေစက်ကိုပြင်ဆင်ပြီး အလူမီနီယံပြား၏မျက်နှာပြင်ကို သန့်ရှင်းတောက်ပြောင်စေရန် အချိန်ကာလတစ်ခုသေချာစေရန်အတွက် ကြမ်းတမ်းသောအလူမီနီယံအလွှာကို နစ်မြုပ်စေသောအလွှာကို ထားရှိပါ။